Technologieangebot: Selbstsperrendes Halbleitertransistorbauelement für die Leistungselektronik
Galliumnitrid basierte Transistoren sind hervorragend für hocheffiziente Leistungselektronikkomponenten geeignet. Durch die Materialeigenschaften sind diese Transistoren jedoch meist nicht selbstsperrend was aus Sicherheitsaspekten vermieden werden soll. Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg hat hierfür eine Lösung gefunden: Diese besteht im Aufbringen einer Galliumnitridschicht mit einer dem Elektronenkanal entgegengesetzten löcherleitenden Schicht unter dem Gatekontakt. Jetzt suchen wir im Namen der […]
