Galliumnitrid basierte Transistoren sind hervorragend für hocheffiziente Leistungselektronikkomponenten geeignet. Durch die Materialeigenschaften sind diese Transistoren jedoch meist nicht selbstsperrend was aus Sicherheitsaspekten vermieden werden soll. Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg hat hierfür eine Lösung gefunden:

Diese besteht im Aufbringen einer Galliumnitridschicht mit einer dem Elektronenkanal entgegengesetzten löcherleitenden Schicht unter dem Gatekontakt.

Jetzt suchen wir im Namen der Uni Magdeburg nach Partnern zur Weiterentwicklung und / oder nach LIzenznehmern für diese Technologie.

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