Technologieangebot: Selbstsperrendes Halbleitertransistorbauelement für die Leistungselektronik

Galliumnitrid basierte Transistoren sind hervorragend für hocheffiziente Leistungselektronikkomponenten geeignet. Durch die Materialeigenschaften sind diese Transistoren jedoch meist nicht selbstsperrend was aus Sicherheitsaspekten vermieden werden soll. Die Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg hat hierfür eine Lösung gefunden:

Diese besteht im Aufbringen einer Galliumnitridschicht mit einer dem Elektronenkanal entgegengesetzten löcherleitenden Schicht unter dem Gatekontakt.

Jetzt suchen wir im Namen der Uni Magdeburg nach Partnern zur Weiterentwicklung und / oder nach LIzenznehmern für diese Technologie.

Mehr dazu finden Sie hier.

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